STGW15M120DF3技术参数详情：
STGW15M120DF3是STMicroelectronics推出的一款1200V、30A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的损耗平衡，具备2.3V的低饱和压降以及550J/850J的开关能量，有效降低了系统的导通与开关损耗。
该器件支持高达60A的脉冲电流，工作结温范围宽至175°C，最大功耗259W，确保了在高功率密度应用中的稳定性和鲁棒性。其标准输入特性和明确的开关参数（如26ns/122ns的开关延迟）为电机驱动、电源转换等工业功率系统的设计提供了可靠且高效的半导体解决方案。
- 型号:STGW15M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:550J（导通），850J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns
- 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):270 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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