STGW20IH125DF技术参数详情：
STGW20IH125DF是ST意法半导体推出的一款高性能沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。其核心电气参数包括1250V的集射极击穿电压和40A的连续集电极电流，为工业级高压应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
该器件在导通特性上表现优异，最大导通压降仅为2.5V @ 15V，15A，有助于降低导通损耗。同时，其开关能量为410J，结合标准输入类型，确保了开关过程的高效与可控。高达259W的最大功耗和-55°C至175°C的宽结温工作范围，进一步印证了其强大的功率处理能力和环境适应性。
- 型号:STGW20IH125DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:410J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:68 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
- 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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