STP3LN62K3技术参数详情：
STP3LN62K3是ST意法半导体基于SuperMESH3技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件提供620V的漏源击穿电压和2.5A的连续漏极电流，其核心卖点在于优异的导通电阻与栅极电荷的比值，在10V驱动电压下导通电阻仅为3欧姆，同时栅极电荷低至17nC，这使其在高压应用中能同时实现低导通损耗和高开关频率下的低开关损耗。
器件采用标准的TO-220通孔封装，最大功耗为45W，支持高达150°C的工作结温，确保了在紧凑空间内的散热可靠性。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正和低功率电机驱动等高效能转换设计的理想选择。
- 型号:STP3LN62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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