STGW25S120DF3技术参数详情：
STGW25S120DF3是ST意法半导体推出的一款1200V、25A额定电流的沟道场截止型IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的性能平衡，具备2.1V的低通态压降（@15V，25A）与快速的开关特性（开启延迟31ns，关断延迟147ns），同时栅极电荷低至80nC，有助于降低整体开关损耗并简化驱动设计。
该器件最大集电极电流达50A，脉冲电流能力为100A，最大功耗为375W，提供了充足的功率处理余量。其稳健的电气规格，包括1200V的高击穿电压和265ns的反向恢复时间，使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器及UPS等中高功率、高可靠性应用的理想开关解决方案。
- 型号:STGW25S120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:830J（导通），2.37mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/147ns
- 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):265 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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