STGW30H65FB技术参数详情：
STGW30H65FB是ST意法半导体生产的一款650V、30A额定电流的沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件在15V栅极驱动下，饱和压降典型值低至2V @ 30A，有效降低了导通损耗，其最大功耗为260W。
器件具备优异的开关性能，开关能量值较低，并支持高达120A的脉冲电流能力。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的高可靠性，使其成为工业电机驱动、逆变器和开关电源等高压、高效功率转换应用的理想解决方案。
- 型号:STGW30H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:151J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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