STGW35NC120HD技术参数详情：
STGW35NC120HD是ST意法半导体推出的一款高压大电流IGBT，隶属于PowerMESH系列，采用标准的TO-247-3通孔封装。其核心规格为1200V集射极击穿电压与60A连续集电极电流，最大功耗达235W，能够满足严苛的功率处理需求。
该器件的关键优势在于其优化的导通与开关特性。其饱和压降典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其开关能量与延迟时间参数经过平衡，在确保快速开关响应的同时，也利于控制开关噪声与损耗。这些特性使其成为工业驱动、电源转换等中高功率应用的可靠选择。
- 型号:STGW35NC120HD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 60A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):135 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:235 W
- 开关能量:1.66mJ（导通），4.44mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:110 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns
- 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):152 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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