STU16N65M5

STU16N65M5是STMicroelectronics推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术制造。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻的出色结合，在10V Vgs、6A Id条件下，Rds(on)最大值仅为299毫欧，有效降低了导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值被优化至45nC（@10V），配合较低的输入电容，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持12A连续电流和90W功率耗散，最高结温达150°C，为开关电源、PFC及工业驱动等高压应用提供了高效可靠的解决方案。

• 型号:STU16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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