STGW40H65DFB-4技术参数详情：
STGW40H65DFB-4是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，隶属于HB产品系列。该器件采用TO-247-4封装，集成了开尔文发射极引脚以优化开关性能。
其核心技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。在40A电流下，最大饱和压降仅为2V，同时具备较低的栅极电荷（210nC）和开关能量，这有助于提升系统效率并降低驱动需求。其宽结温工作范围（-55°C至175°C）和283W的功率处理能力，确保了在严苛环境下的高可靠性。
- 型号:STGW40H65DFB-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:200J（导通），410J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-4
- 供应商器件封装:TO-247-4
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