STGW40H65FB技术参数详情：
STGW40H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的电气性能平衡，在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备160A的脉冲电流能力和283W的最大功耗，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高负载和宽温度范围内的稳定运行。优化的开关特性（Eon 498mJ， Eoff 363mJ）与标准输入类型相结合，使其成为工业电机驱动、UPS及太阳能逆变器等中高功率密度应用的可靠选择。
- 型号:STGW40H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498mJ（导通），363mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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