STL9P2UH7

STL9P2UH7是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的PowerFlat封装技术，在3.3x3.3mm的紧凑尺寸下，提供了20V的漏源电压（Vdss）和高达9A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs条件下典型值仅为22.5毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）和优化的动态参数使其适用于高频开关应用。该MOSFET专为空间受限且要求高效率的直流电源管理、负载开关及电机控制等低压场景而设计。

• 型号:STL9P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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