STGW40V60DLF技术参数详情：
STGW40V60DLF是ST意法半导体生产的一款采用TO-247封装的沟槽型场截止IGBT。其核心电气规格为600V集射极击穿电压与80A最大连续集电极电流，脉冲电流能力达160A，为处理高功率瞬态提供了保障。
该器件在导通特性上表现突出，在15V栅压、40A电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，有助于降低导通损耗。其最大功耗为283W，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。开关参数方面，关断能量为411J，栅极电荷为226nC，平衡了开关速度与损耗，适用于高频开关应用。
- 型号:STGW40V60DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:411J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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