STGW50HF60SD技术参数详情：
STGW50HF60SD是ST意法半导体生产的一款600V、110A高功率IGBT单管，采用TO-247-3通孔封装。该器件集成了快速恢复二极管，最大功耗为284W，适用于严苛的工业环境。
其核心优势在于优异的电气性能平衡。在15V栅极驱动下，饱和压降典型值低至1.45V @ 30A，有效降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（开通/关断延迟为50ns/220ns）与67ns的反向恢复时间，有助于在高频应用中提升效率并减少开关损耗。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STGW50HF60SD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 110A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:110 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:284 W
- 开关能量:250J（导通），4.2mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:200 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):67 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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