STGW60H65DRF技术参数详情：
STGW60H65DRF是ST意法半导体生产的一款650V、120A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件在15V栅极驱动、60A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.4V，最大功耗为420W，具备低导通损耗特性。
其开关性能经过优化，开启与关断能量分别为940J和1.06mJ，开关延迟时间典型值为85ns（开）和178ns（关），反向恢复时间短至19ns，确保了高效率的功率切换。器件结温工作范围覆盖-55°C至175°C，适用于对可靠性和效率有较高要求的工业功率应用。
- 型号:STGW60H65DRF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:420 W
- 开关能量:940J（导通），1.06mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:217 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns
- 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):19 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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