STGW60V60DF技术参数详情：
STGW60V60DF是ST意法半导体推出的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡，在15V Vge、60A Ic条件下，Vce(on)最大值仅为2.3V，有效降低了导通损耗，同时具备快速的开关速度（Td(on/off)典型值60ns/208ns）和较低的开关能量。
该器件设计坚固可靠，最大功耗达375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，脉冲电流能力高达240A。这些参数使其成为要求高效率、高功率密度和可靠性的中高功率应用的理想选择，如电机驱动、逆变器和工业电源等。
- 型号:STGW60V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:750J（导通），550J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:334 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/208ns
- 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):74 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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