STGW75H65DFB2-4技术参数详情：
STGW75H65DFB2-4是意法半导体推出的一款650V、115A沟槽栅场截止IGBT，采用TO-247-4封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在75A电流下典型饱和压降仅为2V，同时具备较低的开关能量（Eon 992J， Eoff 766J）和快速的开关速度，有助于提升系统效率并允许更高频率的运行。
该器件集成了快速恢复二极管，反向恢复时间为88ns，简化了电路拓扑。其宽结温工作范围（-55°C至175°C）和高达357W的功率处理能力，确保了在工业电机驱动、UPS、太阳能逆变器等高压大功率应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:STGW75H65DFB2-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:115 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A
- 功率 - 最大值:357 W
- 开关能量:992J（导通），766J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:207 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/121ns
- 测试条件:400V，75A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):88 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-4
- 供应商器件封装:TO-247-4
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