STGW75M65DF2技术参数详情：
STGW75M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款高性能沟槽栅场截止IGBT。该器件核心优势在于其650V/120A的额定规格，结合仅2.1V @15V, 75A的低饱和压降，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
其开关特性表现突出，具备47ns/125ns的快速开关延迟和较低的开关能量，有助于实现更高频率的功率变换并减少开关损耗。宽广的-55°C至175°C工作结温范围以及TO-247-3封装，确保了其在工业级应用中的高可靠性与强大的功率处理能力。
- 型号:STGW75M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:690J（导通），2.54mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:225 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns
- 测试条件:400V，75A，3.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):165 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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