STGW80V60DF技术参数详情：
STGW80V60DF是意法半导体生产的一款采用TO-247封装的沟槽型场截止IGBT单管。该器件核心电气参数为600V集射极击穿电压和120A最大连续集电极电流，脉冲电流能力达240A，展现了强大的功率处理潜力。
其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在80A电流下，饱和压降典型值仅为2.3V，有助于降低导通损耗。同时，其开关能量与延迟时间（如60ns开启延迟）经过优化，确保了在高频开关应用中仍能保持较低的开关损耗和良好的EMI特性，最大功耗为469W。
综合其600V/120A的规格、低Vce(on)以及TO-247封装带来的散热便利性，此器件主要面向要求高效率和高可靠性的中高功率应用，如电机驱动、工业变频和逆变电源系统。
- 型号:STGW80V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:448 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
- 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3 焊盘
- 供应商器件封装:TO-247
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