STGWA20H65DFB2技术参数详情：
STGWA20H65DFB2是ST意法半导体HB2系列中的一款650V、40A沟槽栅场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其低导通损耗与优化的开关性能平衡，其最大饱和压降（Vce(on)）低至2.1V @ 15V， 20A，同时具备较低的开关能量（Eon 265J， Eoff 214J）与栅极电荷（56nC）。
这些参数特性使其能够在高频率下高效工作，显著降低系统总损耗。其坚固的设计支持175°C的最高结温，并拥有60A的脉冲电流能力，确保了在工业电机驱动、逆变器及开关电源等应用中的高可靠性与稳健性。
- 型号:STGWA20H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:147 W
- 开关能量:265J（导通），214J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:56 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):215 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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