STGWA20M65DF2技术参数详情：
STGWA20M65DF2是意法半导体推出的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件在15V栅极电压、20A集电极电流条件下的典型饱和压降（Vce(on)）仅为2V，实现了低导通损耗，其最大额定功率为166W。
该IGBT具备优异的开关性能，开启与关断延迟时间分别为26ns和108ns，开关能量组合（140J开，560J关）与63nC的栅极电荷共同确保了高效的高频操作能力。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，提供了强大的环境适应性，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业功率转换系统。
- 型号:STGWA20M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:166 W
- 开关能量:140J（导通），560J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:63 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
- 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):166 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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