STB46N60M6技术参数详情：
STB46N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装，并符合汽车级AEC-Q101标准。其核心优势在于600V的高漏源电压（VDSS）和36A（Tc）的高连续漏极电流（ID）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实基础。
该器件的关键技术卖点在于其优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至80毫欧（@18A），能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型53.5nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统效率。这些特性使其成为汽车电子和工业电源系统中高效功率转换和电机驱动的优选器件。
- 型号:STB46N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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