STGWA25H120DF2技术参数详情：
STGWA25H120DF2是意法半导体推出的一款1200V、25A沟槽型场截止IGBT，集成反并联快恢复二极管，采用TO-247-3封装。该器件专为高效、高可靠性的功率开关应用设计，其核心优势在于优异的导通与开关损耗平衡。
器件在15V栅极驱动、25A集电极电流条件下，最大饱和压降仅2.6V，显著降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（Td(on)/Td(off)典型值为29ns/130ns）与较低的开关能量，支持更高频率的运行。宽结温工作范围（-55°C ~ 175°C）与375W的最大功耗能力，确保了其在工业环境下的稳健性。
- 型号:STGWA25H120DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:600J（导通），700J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:100 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
- 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):303 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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