STL3NM60N

STL3NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心特性包括高达600V的漏源击穿电压（V_dss）以及优化的低导通电阻，在10V栅极驱动、1A电流条件下典型值仅为1.8欧姆，这有助于显著降低功率损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了平衡设计，具备较低的栅极电荷（Q_g典型值9.5nC @10V）和输入电容，有利于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。器件提供表面贴装型PowerFlat封装，在紧凑的3.3x3.3mm占位面积内实现了良好的热性能，管壳温度（T_c）下最大功耗可达22W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了设计的灵活性与高可靠性。

• 型号:STL3NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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