STGWA30HP65FB技术参数详情：
STGWA30HP65FB是ST意法半导体生产的一款650V/60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件在15V栅极驱动下，30A电流时的典型饱和压降仅为2V，有效降低了导通损耗，其最大功耗可达260W。
同时，它具备快速的开关性能，关断延迟时间为146ns，反向恢复时间为140ns，开关能量较低，有助于提升系统效率并减少开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的工业功率应用。
- 型号:STGWA30HP65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:293J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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