STQ3N45K3-AP技术参数详情：
STQ3N45K3-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其450V的高压承受能力与优化的动态开关特性的结合。
其技术参数精准定位了小功率高压开关应用的需求：600mA的连续漏极电流和3.8欧姆的低导通电阻确保了高效的功率传输；而最大仅6nC的栅极电荷和150pF的输入电容，则显著降低了开关损耗，支持更快的开关速度。这些特性使其成为构建紧凑、高效电源及控制电路的理想选择。
- 型号:STQ3N45K3-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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