STGWA30IH65DF

STGWA30IH65DF是ST意法半导体推出的一款高性能单管IGBT，隶属于IH产品系列。该器件采用沟槽型场截止技术，具备650V的高集射极击穿电压和60A的最大集电极电流能力，为核心功率开关应用提供了高耐压与大电流承载的坚实基础。

其关键电气参数表现突出，在15V栅极驱动、30A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.05V，有效降低了导通损耗。同时，其关断开关能量为123J，栅极电荷为80nC，这些特性共同确保了器件在高频开关工况下兼具快速的动态响应与优异的能效表现。该器件采用TO-247-3通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于对可靠性和环境适应性要求较高的工业级设计。

• 型号:STGWA30IH65DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:180 W
• 开关能量:123J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/200ns
• 测试条件:400V，30A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 现在可以订购STGWA30IH65DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。