STGWA30M65DF2技术参数详情：
STGWA30M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V、30A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件在15V栅压、30A电流下具有低至2V的典型饱和压降（Vce(on)），有效降低了导通损耗。其最大集电极电流达60A，脉冲电流能力为120A，并集成了快速恢复二极管。
在开关特性方面，其在标准测试条件下的开关能量表现均衡，栅极电荷为80nC，便于驱动设计。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，最大功耗为258W，确保了在高功率密度应用中的稳定性和鲁棒性。这些参数使其成为工业驱动、能源转换等高效功率系统的核心功率开关选择。
- 型号:STGWA30M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:300J（导通），960J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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