STGWT60H65DFB技术参数详情：
STGWT60H65DFB是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关损耗平衡，在60A电流下饱和压降仅为2V，同时具备快速的开关速度（开启延迟51ns，关断延迟160ns）与低开关能量，有助于提升系统整体效率。
该器件设计坚固可靠，最大功耗达375W，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，适用于高频、高功率密度应用。其标准输入特性和240A的脉冲电流能力，使其成为工业电机驱动、变频电源和新能源逆变器等中高功率转换领域的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGWT60H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:306 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
- 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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