STD7NM50N-1技术参数详情：
STD7NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh II技术，封装形式为I-PAK。该器件核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其关键电气特性表现为较低的导通电阻（Rds(on)最大值780mΩ @ 10V, 2.5A）与栅极电荷（Qg最大值12nC @ 10V），这有助于实现高效率的功率转换与较低的开关损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的环境。请注意，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:STD7NM50N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 现在可以订购STD7NM50N-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
