STL45P3LLH6

STL45P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat（5x6）封装的P沟道功率MOSFET，属于其高性能STripFET H6产品系列。该器件在30V的漏源电压下，可支持高达45A（T_C）的连续导通电流，其核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关性能的完美结合。

在10V栅极驱动下，其最大导通电阻仅为13毫欧，能有效降低通态损耗。同时，极低的栅极电荷（最大24nC @ 4.5V）确保了快速的开关速度，从而最小化开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和出色的热性能（最大功耗75W @ T_C），使其能够胜任高功率密度和高可靠性的应用需求。

• 型号:STL45P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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