STGWA40H65DFB2技术参数详情：
STGWA40H65DFB2是ST意法半导体基于TRENCH GATE FIELD-STOP技术开发的650V、40A级别绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件专为高能效、高可靠性的功率开关应用而设计，属于其有源的晶体管产品系列。
其核心优势在于先进的沟槽栅与场截止结构，这使其在保持高击穿电压的同时，实现了较低的导通压降和开关损耗。该设计优化了功率转换效率，并通常集成了快速恢复二极管以简化电路布局。器件适用于要求严苛的工业环境，为系统提供了稳健的性能基础。
- 型号:STGWA40H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:72 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:230 W
- 开关能量:765J（导通），410J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:153 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/72ns
- 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):75 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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