STU2NK100Z

STU2NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件专为高压开关应用而优化，其核心优势在于1000V的高漏源电压（V_DSS）与低导通电阻（R_DS(on)）的良好结合，确保了在高压环境下仍能保持较低的导通损耗。

该MOSFET在10V栅极驱动下，最大导通电阻为8.5欧姆，同时具备较低的栅极电荷（Q_g典型值16nC），这有助于实现快速的开关切换，从而有效降低开关损耗，提升整体能效。其采用通孔式I-PAK封装，最大功耗达70W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的电源转换和电机控制解决方案提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STU2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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