STGWA40N120KD

STGWA40N120KD是ST意法半导体推出的一款高压大电流IGBT，隶属于其PowerMESH产品系列。该器件集成了1200V的击穿电压、80A的连续集电极电流以及高达120A的脉冲电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的硬件基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅极电压、30A集电极电流条件下，最大导通压降仅为3.85V，有效降低了导通损耗。同时，优化的开关能量与126nC的栅极电荷，有助于实现高效率的功率转换。器件采用TO-247-3封装，最大功耗240W，工作结温范围覆盖-55°C至125°C，确保了系统的可靠性与环境适应性。

• 型号:STGWA40N120KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 80A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:240 W
• 开关能量:3.7mJ（导通），5.7mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:126 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:48ns/338ns
• 测试条件:960V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):84 ns
• 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• 现在可以订购STGWA40N120KD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。