STL220N6F7

STL220N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理高达60V的漏源电压和120A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和20A I_D条件下最大值仅为1.4mΩ，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并具备较低的栅极电荷（Q_g），有助于实现高效的开关操作。这些特性使其成为同步整流、电机驱动、电源转换和各类负载开关等高要求功率管理应用的可靠解决方案。

• 型号:STL220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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