STGWA40S120DF3技术参数详情：
STGWA40S120DF3是ST意法半导体推出的一款1200V、40A额定电流的沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3L封装。该器件设计用于提供高效率与高可靠性的功率开关解决方案。
其核心优势在于优异的电气性能平衡：高达1200V的击穿电压和80A的最大集电极电流确保了强大的功率处理能力；而低至2.15V的典型饱和压降（Vce(on) @ 40A, 15V）与较低的开关能量（开通1.43mJ，关断3.83mJ）共同贡献了较低的总体功率损耗。宽广的-55°C至175°C工作结温范围进一步增强了其在严苛环境下的适用性。
- 型号:STGWA40S120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1.43mJ（导通），3.83mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:129 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/148ns
- 测试条件:600V，40A，15 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):355 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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