STGWA50IH65DF技术参数详情：
STGWA50IH65DF是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能沟槽栅场截止型IGBT。该器件核心优势在于其650V的集射极击穿电压和100A的最大连续集电极电流，结合低至2V@50A的典型饱和压降，为高功率应用提供了优异的导通性能与功率处理能力。
其开关特性经过优化，关断能量为284J，栅极电荷为158nC，有助于实现高效的功率转换并简化驱动设计。器件采用TO-247-3封装，最大功耗300W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在工业级应用环境下的高可靠性与稳健性。
- 型号:STGWA50IH65DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:300 W
- 开关能量:284J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:158 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns
- 测试条件:400V，50A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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