STB9NK60ZDT4

STB9NK60ZDT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至950毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为53nC。这种参数组合有助于提升电源系统的转换效率，并降低开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功耗125W，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性与可靠性。

• 型号:STB9NK60ZDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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