STGWA50M65DF2技术参数详情：
STGWA50M65DF2是意法半导体推出的一款650V / 80A沟槽栅场截止型IGBT单管，采用TO-247-3封装。该器件在Vge=15V， Ic=50A条件下的最大饱和压降Vce(on)仅为2.1V，具备优异的导通特性，能有效降低导通损耗。
其开关性能均衡，开关能量较低（Eon 880J， Eoff 1.57mJ），并具有快速的开关延迟时间，支持较高频率的开关操作。结合150A的脉冲电流能力和高达175°C的结温工作范围，使其能够胜任要求严苛的功率开关应用，为提升系统效率和功率密度提供了可靠的半导体解决方案。
- 型号:STGWA50M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:880J（导通），1.57mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:150 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/130ns
- 测试条件:400V，50A，6.8 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):162 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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