STGWA80H65FB技术参数详情：
STGWA80H65FB是意法半导体生产的一款650V、120A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件集成了高耐压与大电流处理能力，其240A的脉冲电流能力为应对瞬时过载提供了保障。
其技术核心在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在80A电流下，饱和压降典型值仅为2V，同时具备较低的开关能量（Eon 2.1mJ， Eoff 1.5mJ）和栅极电荷（414nC），这直接转化为更高的系统效率和更低的开关损耗。宽达175°C的结温工作范围与469W的功率处理能力，使其能够适应严苛的工业环境要求。
- 型号:STGWA80H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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