STGWA8M120DF3技术参数详情：
STGWA8M120DF3是ST意法半导体M系列中的一款1200V、16A沟槽型场截止IGBT。该器件在15V栅压、8A电流条件下的典型饱和压降仅为2.3V，实现了低导通损耗，同时其开关能量（Eon/Eoff）分别低至390J和370J，有效平衡了导通与开关性能。
器件采用TO-247-3封装，最大功耗167W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，具备高可靠性。其标准输入类型与32nC的栅极电荷，便于驱动电路设计。这些特性使其成为工业电机驱动、变频器、UPS及太阳能逆变器等中高功率应用的优选功率开关解决方案。
- 型号:STGWA8M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:390J（导通），370J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:32 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
- 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):103 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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