STL19N60M2技术参数详情：
STL19N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心规格为600V漏源电压和11A连续漏极电流，专为要求高效率与高可靠性的高压开关应用而设计。
其技术亮点在于优化的动态特性，包括低至21.5nC的栅极电荷和791pF的输入电容，这显著降低了开关损耗，提升了工作频率。同时，器件采用散热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，最大功率耗散达90W，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在紧凑空间和严苛环境下的稳定运行。
- 型号:STL19N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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