STGWT20H60DF技术参数详情：
STGWT20H60DF是STMicroelectronics生产的一款600V/40A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-3PF封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在600V的集射极击穿电压下，实现了低至2V（@15V，20A）的饱和压降，有效优化了导通损耗。其最大功耗为167W，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。
在动态性能方面，该IGBT具备优秀的开关特性，开关能量分别为209J（开启）和261J（关断），反向恢复时间仅为90ns，这有助于在高频应用中降低开关损耗并提升系统效率。标准输入电平和115nC的栅极电荷简化了驱动电路设计。这些特性使其成为电机驱动、工业变频、UPS及太阳能逆变器等中功率应用场景中高效、可靠的功率开关解决方案。
- 型号:STGWT20H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:209J（导通），261J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:115 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):90 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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