STGWT20IH125DF技术参数详情：
STGWT20IH125DF是ST意法半导体推出的一款高压IGBT，采用TO-3P封装。其核心优势在于1250V的集射极击穿电压与40A的集电极电流能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。
该器件采用沟槽型场截止技术，实现了低至2.5V @15A的饱和压降，显著降低了导通损耗。同时，其410J的关断能量与68nC的低栅极电荷，确保了高效的开关性能与简化的驱动设计。这些特性使其在高达259W的功耗和175°C结温下，能稳定工作于要求严苛的工业环境。
- 型号:STGWT20IH125DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:410J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:68 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
- 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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