STGWT40HP65FB技术参数详情：
STGWT40HP65FB是ST意法半导体生产的一款高性能沟槽栅场截止型IGBT，属于HB系列有源器件。其核心优势在于结合了650V的高击穿电压与80A的连续电流处理能力，同时通过优化的沟槽栅场截止技术，实现了低至2V@40A的饱和压降，显著降低了导通损耗。
该器件具备160A的脉冲电流能力和快速的开关特性（关断延迟142ns，反向恢复时间140ns），配合210nC的栅极电荷，使其在高频开关应用中能保持高效率与低驱动需求。其采用TO-3P-3通孔封装，结温工作范围宽达-55°C至175°C，为工业级功率转换应用提供了高可靠性的解决方案。
- 型号:STGWT40HP65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:363J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
- 现在可以订购STGWT40HP65FB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
