STT2PF60L技术参数详情：
STT2PF60L是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用SOT-23-6封装，提供了60V的漏源电压（Vdss）额定值和2A的连续漏极电流（Id）能力，适用于紧凑型空间设计中的中低功率开关应用。
其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧@1A，有助于最小化导通损耗。同时，极低的栅极电荷（7nC @10V）和输入电容确保了快速的开关切换，提升系统效率并简化驱动电路设计。器件支持高达150°C的结温工作，确保了应用的可靠性。
- 型号:STT2PF60L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:313 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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