STGWT40V60DLF技术参数详情：
STGWT40V60DLF是意法半导体生产的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于优异的电气性能平衡，在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2.3V，有效降低了导通损耗。
该器件具备283W的最大功耗能力和高达175°C的结温工作上限，确保了在严苛环境下的稳定运行。其开关特性，包括411J的关断能量和208ns的关断延迟时间，使其在要求快速开关的中等功率应用场景中，能够实现高效率的能量转换。
- 型号:STGWT40V60DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:411J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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