STGWT60H65FB技术参数详情：
STGWT60H65FB是STMicroelectronics生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在60A电流、15V栅极驱动下的典型饱和压降仅为2.3V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量（Eon 1.09mJ， Eoff 626J）和快速的开关延迟时间，确保了在高频开关应用中的高效率。
该器件设计坚固可靠，最大功耗达375W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，能够承受高达240A的脉冲电流。这些特性使其成为工业电机驱动、变频器、UPS及太阳能逆变器等中高功率转换应用的理想选择，旨在提升系统能效和功率密度。
- 型号:STGWT60H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:306 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
- 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
- 现在可以订购STGWT60H65FB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
