STGWT80H65FB技术参数详情：
STGWT80H65FB是意法半导体推出的一款650V、120A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3L封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在80A电流下典型饱和压降仅为2V，同时具备2.1mJ（开）和1.5mJ（关）的低开关能量，有助于实现高效率的功率转换。
该器件支持高达240A的脉冲电流，最大功耗为469W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛工业环境下的高可靠性。其标准输入特性与414nC的栅极电荷，使其易于驱动并集成到现有的功率拓扑设计中，是电机驱动、逆变器和电源等高压大电流应用的理想选择。
- 型号:STGWT80H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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