STGWT80V60F技术参数详情：
STGWT80V60F是ST意法半导体生产的一款采用TO-3P封装的沟槽型场截止IGBT。该器件核心电气规格为600V集射极击穿电压与120A连续集电极电流，脉冲电流能力可达240A，最大功耗为469W，适用于中高功率应用场景。
其技术优势体现在较低的导通损耗与优化的开关性能。在15V栅极驱动、80A集电极电流条件下，饱和压降典型值为2.3V。同时，其开关能量较低（开启1.8mJ，关断1mJ），配合标准输入电平，有利于提升系统效率并简化驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）进一步保障了其在工业环境下的可靠性。
- 型号:STGWT80V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:448 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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