STB6N80K5

STB6N80K5是意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的动态参数，在25°C壳温下可支持4.5A的连续漏极电流。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（1.6Ω @ 10V, 2A）与低栅极电荷（7.5nC @ 10V）的良好结合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。同时，较低的输入电容（255pF @ 100V）有助于实现快速开关，提升系统频率响应。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线式开关电源、PFC及照明应用的理想选择。

• 型号:STB6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB6N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。