STGB30H60DLFB技术参数详情：
STGB30H60DLFB是ST意法半导体生产的一款沟槽型场截止IGBT，集成了快速恢复二极管，构成半桥配置。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于600V的集射极击穿电压和60A的连续集电极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚固的电气基础。
其技术亮点包括在30A电流下仅2V的低饱和压降（Vce(on)），这直接转化为更低的导通损耗。同时，优化的开关特性（393J关断能量）与149nC的栅极电荷相结合，有助于实现高频率开关并降低整体开关损耗。采用TO-263表面贴装封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其适用于要求高可靠性和功率密度的工业环境。
- 型号:STGB30H60DLFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:393J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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